来源：商业经济观察

就目前而言，能够量产的最先进制程芯片是5nm，至于4nm、3nm制程的芯片，台积电和三星都在积极突破。其中，三星已经发布了全球首款3nm储存类芯片，预计在2022年量产3nm制程的芯片。台积电则计划在今年下半年试产4nm、3nm制程的芯片，并将在2022年进行规模量产。

在2nm芯片方面，IBM已经发布了全球首个制造技术，但IBM自身并不制造芯片，而与三星、英特尔等合作制造。

台积电方面也已经透露，2nm芯片进展超出了预期，将会采用全新的GAA工艺，并且，在2020年底，台积电就开始着手建设第一座2nm芯片工厂。但没有想到的是，台积电2nm芯片工厂两次递交申请，均遭到了环保部门的拒绝。

据了解，台积电2nm芯片工厂占地60公顷，位于台湾省新竹的科学工业园区，预计投资200亿美元，日消耗水98000立方米，其中，68000立方米是通过当地供应。

由于台积电新建2nm芯片工厂耗水太严重，而台湾省今年又遇到了比较严重的干旱，再加上其它废弃物排放等影响，该计划并没有得到环保部门的批准。

可以说，台积电2nm芯片工厂建设计划遭遇拒绝，ASML早已给出结果。

今年年初，ASML对外发布了2020年的财报，除了介绍营收和光刻机出货等情况外，ASML还对未来做出了展望。ASML表示新一代NA EUV光刻机将会在2025年投入使用，在该光刻机之后，ASML将更加注重光刻机的效率以及环保等。也就是说，ASML方面已经认为到现有的光刻机在生产制造芯片过程中，存在效率低下、消耗能源过多等问题。

就以占地面积而言，一台EUV光刻机就占用了大量的空间，基本都达到了天花板的高度；由于效率较低等原因，制造制程越先进的芯片，就需要用到越多的纯水进行冲洗，目的是洗去杂质，更好地进行光刻。要知道，用淡水制成纯水，这是一个很消耗的水资源的过程，而纯水冲洗晶圆，目的是带走晶圆上的杂质。

由于2nm芯片制程太小，所以要不断用纯水冲洗，防止杂质影响光刻精度，这也是台积电2nm芯片工厂耗水严重的原因。

其实，制造先进制程芯片，除了对资源消耗过多之外，还有一个缺点，那就是成本高，这一点ASML也早就透漏出来了。

例如，ASML的DUV光刻机的售价仅几千万美元一台，但EUV光刻机的售价都超过1亿美元，至于新一代NA EUV光刻机，其售价将会超过4亿美元。

要知道，光刻机是生产制造芯片的必要设备，光刻机成本越高，意味着芯片制造成本就越高。

例如，台积电投资扩建28nm芯片工厂，增加2万片的月产能，投资不足30亿美元，但其在美国建设月产2万片晶圆的5nm工厂，投资都高达120亿美元。

而三星在美国建设3nm芯片生产线，直接投资170亿美元。如今，台积电建设2nm芯片工厂，投资都增加到了200亿美元。也就是说，生产制造制程越先进的芯片，其投资就越高，这意味着芯片制造成本也就越高，当然，采用先进制程芯片的设备，其价格自然也是水涨船高。

其实，近年来，高端手机价格不断上涨，主要就是因为芯片等元器件价格上涨，就以高通骁龙888处理器，其综合成本都超过了200美元。

另外，苹果和华为是台积电的大客户，每年对芯片数量的需求基本相当，但两者对台积电贡献的营收却不断增长，这也是因为先进制程芯片的代工价格不断上涨导致的。